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Found 43 results
Autor Título Tipo [ Año(Asc)]
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2008
N. Dietz, Alevli, M., Atalay, R., Durkaya, G., Collazo, R., Tweedie, J., Mita, S., y Sitar, Z., «The influence of substrate polarity on the structural quality of InN layers grown by high-pressure chemical vapor deposition», Applied Physics Letters, vol. 92, p. 041911, 2008.
H. S. Craft, Collazo, R., Losego, M. D., Mita, S., Sitar, Z., y Maria, J. P., «Spectroscopic analysis of the epitaxial CaO (111)–GaN (0002) interface», Applied Physics Letters, vol. 92, p. 082907, 2008.
M. D. Losego, Craft, H. S., Mita, S., Rice, T., Collazo, R., Sitar, Z., y Maria, J. P., «TF004-interfacing complex oxides to gallium nitride», in Applications of Ferroelectrics, 2008. ISAF 2008. 17th IEEE International Symposium on the, 2008, vol. 3, pp. 1–2.
F. Liu, Collazo, R., Mita, S., Sitar, Z., y Duscher, G., «Three-Dimensional Geometry of Nanometer-Scale AlN Pits: A New Template for Quantum Dots?», Advanced Materials, vol. 20, pp. 134–137, 2008.
2007
H. S. Craft, Collazo, R., Losego, M. D., Mita, S., Sitar, Z., y Maria, J. P., «Band offsets and growth mode of molecular beam epitaxy grown MgO (111) on GaN (0002) by x-ray photoelectron spectroscopy», Journal of Applied Physics, vol. 102, pp. 074104–074104, 2007.
M. D. Losego, Mita, S., Collazo, R., Sitar, Z., y Maria, J. P., «Epitaxial calcium oxide films deposited on gallium nitride surfaces», Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, vol. 25, pp. 1029–1032, 2007.
R. F. Davis, Bishop, S. M., Mita, S., Collazo, R., Reitmeier, Z. J., y Sitar, Z., «Epitaxial Growth of Gallium Nitride», AIP CONFERENCE PROCEEDINGS, vol. 916, p. 520, 2007.
S. Mita, Collazo, R., Dalmau, R., y Sitar, Z., «Growth of highly resistive Ga-polar GaN by LP-MOVPE», physica status solidi (c), vol. 4, pp. 2260–2263, 2007.
R. Collazo, Mita, S., Dalmau, R., y Sitar, Z., «Impact of polarity control and related defects on the electrical properties of GaN grown by MOVPE», physica status solidi (c), vol. 4, pp. 2597–2600, 2007.
F. Liu, Collazo, R., Mita, S., Sitar, Z., Duscher, G., y Pennycook, S. J., «The mechanism for polarity inversion of GaN via a thin AlN layer: Direct experimental evidence», Applied Physics Letters, vol. 91, p. 203115, 2007.
M. D. Losego, Mita, S., Collazo, R., Sitar, Z., y Maria, J. P., «Papers from the 24th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy-Oxides on Semiconductors-Epitaxial calcium oxide films deposited on gallium nitride surfaces», Journal of Vacuum Science and Technology-Section B, vol. 25, pp. 1029–1032, 2007.
R. Collazo, Mita, S., Rice, A., Dalmau, R. F., y Sitar, Z., «Simultaneous growth of a GaN p/n lateral polarity junction by polar selective doping», Applied Physics Letters, vol. 91, p. 212103, 2007.
R. Dalmau, Collazo, R., Mita, S., y Sitar, Z., «X-ray photoelectron spectroscopy characterization of aluminum nitride surface oxides: thermal and hydrothermal evolution», Journal of electronic materials, vol. 36, pp. 414–419, 2007.
2006
A. Aleksov, Collazo, R., Mita, S., Schlesser, R., y Sitar, Z., «Current-voltage characteristics of n/n lateral polarity junctions in GaN», Applied physics letters, vol. 89, pp. 052117–052117, 2006.
R. Collazo, Mita, S., Aleksov, A., Schlesser, R., y Sitar, Z., «Growth of Ga-and N-polar gallium nitride layers by metalorganic vapor phase epitaxy on sapphire wafers», Journal of crystal growth, vol. 287, pp. 586–590, 2006.
2005
R. Collazo, Mita, S., Schlesser, R., y Sitar, Z., «Polarity control of GaN thin films grown by metalorganic vapor phase epitaxy», physica status solidi (c), vol. 2, pp. 2117–2120, 2005.
S. Mita, Collazo, R., Schlesser, R., y Sitar, Z., «Polarity Control of LP-MOVPE GaN using N2 the Carrier Gas», MRS Proceedings, vol. 892, 2005.
2004
S. Mita, Collazo, R., Schlesser, R., y Sitar, Z., «Polarity control of GaN Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition on (0001) Sapphire Substrates», MRS Proceedings, vol. 831, 2004.

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